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《人工晶体学报》 2000年S1期
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单晶硅中氮杂质研究进展

阙端麟  
【摘要】:氮在硅单晶中有特殊的作用 ,它对于硅性能的影响正在被深入地研究 ,目前正成为硅单晶科学技术发展的前沿之一。1 .Ⅴ族元素磷、砷、锑和Ⅲ族元素硼、铟、铝等分别分为硅半导体的施主和受主。而氮作为5族元素在硅中不是施主杂质不取替代位置。( 1 )一般认为氮是以双原子氮对形式存在于硅晶体中 ,具体的微观结构有各种不同的观点 ,有待进一步研究。( 2 )硅中氮对单晶的电学性能有影响 ,研究发现了氮对氧施主的影响 ,氮对热施主的微弱影响和对新施主的抑制作用。含氮硅单晶经 6 5 0~ 80 0℃热处理又发现新的施主效应 ,称之为氮关施主。研究发现了消除氮关施主的技术。低温远红外和光热电离谱确认了氮关施主的浅能级 ;深能级谱表明氮不在硅中引入深能级。磁场直拉 (MCZ)降低了硅中氧含量、即消除了氮关施主。结果支持了氮氮氧复合体的理论观点。2 .氮杂质有增强硅片机械强度的作用 ,在FZ法生长单晶中已成为专利技术。但对含氧CZ硅已有了氧的增强作用 ,微量氮是否有明显增强作用有重要意义。最近用引入压痕热处理观察位错滑移的方法 ,证明氮在CZ硅中也有好的增强作用。3.硅单晶用于集成电路制造对晶体完整性的要求不断提高。一方面在晶体生长技术上精益求精。一方面采用缺陷工程的方法 ,即用吸除技术在硅片
【作者单位】浙江大学硅材料科学国家重点实验室!杭州310027
【分类号】:O77

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【引证文献】
中国硕士学位论文全文数据库 前2条
1 刘丽丽;快中子辐照掺氮直拉硅中氧沉淀及诱生缺陷研究[D];河北工业大学;2006年
2 马巧云;快中子辐照直拉硅中氧沉淀及诱生缺陷研究[D];河北工业大学;2005年
【同被引文献】
中国期刊全文数据库 前10条
1 祝洪良,杨德仁,汪雷,裴艳丽,阙端麟,张寒洁,何丕模;氮气氛中高温热处理硅片表面的直接氮化[J];半导体学报;2003年10期
2 刘培东,朱爱平,张锦心,李立本,阙端麟;碳和氮原子在氧沉淀中的作用[J];半导体学报;1999年02期
3 杨德仁;;硅中氧沉淀的研究[J];材料科学与工程学报;1990年02期
4 张维连;徐岳生;;NTDCZ Si的辐照缺陷退火研究[J];功能材料;1991年04期
5 张维连,徐岳生,李养贤;NTDCZSi内吸除技术的研究[J];固体电子学研究与进展;1990年01期
6 王莉蓉,杨德仁,应啸;太阳电池用直拉硅单晶中碳对氧沉淀的作用[J];太阳能学报;2002年02期
7 徐进,杨德仁,马向阳,阙端麟;直拉硅中氧沉淀的TEM研究[J];半导体技术;2002年03期
8 李光平,汝琼娜,何秀坤,李静;FT─IR技术在半导体材料中的应用[J];半导体情报;1994年03期
9 钟磊,赵清华;CZ硅中氧沉淀的红外光谱研究[J];半导体学报;1989年05期
10 张维连,闫书霞,孙军生;NTDCZSi中与氧有关的PL谱[J];半导体杂志;1996年02期
【二级引证文献】
中国重要会议论文全文数据库 前1条
1 刘丽丽;马巧云;陈贵锋;杨帅;李养贤;;快中子辐照微氮直拉硅中氧沉淀的FTIR研究[A];华北地区硅酸盐学会第八届学术技术交流会论文集[C];2005年
中国硕士学位论文全文数据库 前1条
1 蔡莉莉;电子辐照直拉硅辐照效应的研究[D];河北工业大学;2007年
【相似文献】
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1 物理系;薛其坤团队领衔发现单原子层的超导体[N];新清华;2010年
中国硕士学位论文全文数据库 前6条
1 李珣;飞秒激光材料表面微加工[D];天津大学;2008年
2 羊建坤;太阳能硅单晶快速生长中结晶潜热的研究[D];河北工业大学;2007年
3 余长军;物性参数对硅单晶CZ法生长过程影响的全局数值分析[D];重庆大学;2005年
4 魏东海;勾形磁场对硅单晶CZ生长过程影响的全局数值分析[D];重庆大学;2007年
5 李洪源;Φ200 mm太阳能级CZSi单晶生长速率的数值模拟研究[D];河北工业大学;2008年
6 曾小平;大型晶体生长系统(设备)关键技术研究[D];西安理工大学;2008年
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