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《强激光与粒子束》 2015年08期
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中子单粒子效应TCAD仿真

解磊  代刚  李顺  梁堃  
【摘要】:分析了核裂变与聚变情况下,典型能量的中子与半导体器件反应,所产生的次级粒子及其能谱分布。根据中子所能导致的最恶劣情况,讨论了65nm工艺尺寸下,半导体静态存储器的单粒子效应,并给出了TCAD仿真的结果。结果显示,商用6管单元难以避免中子单粒子效应的发生。双互锁存储单元(DICE)结构在高密度设计时,也由于电荷共享效应,发生了单粒子翻转。由于电荷共享效应难以用SPICE仿真的方法得到,TCAD仿真更适用于中子单粒子免疫的SRAM设计验证。最后,讨论了65nm工艺下,中子单粒子免疫的SRAM设计,指出6管单元加电容的方式,可能是更有竞争力的方案。

【参考文献】
中国期刊全文数据库 前4条
1 李华,牛胜利,李原春,李国政;中子引起的单粒子反转截面的Monte Carlo模拟计算[J];计算物理;1997年03期
2 郭晓强;郭红霞;王桂珍;林东生;陈伟;白小燕;杨善潮;刘岩;;随机静态存储器低能中子单粒子翻转效应[J];强激光与粒子束;2009年10期
3 王园明;郭晓强;罗尹虹;陈伟;王燕萍;郭红霞;张凤祁;张科营;王忠明;丁李利;闫逸华;赵雯;肖尧;;质子和中子在硅中位移损伤等效性计算[J];强激光与粒子束;2013年07期
4 郭晓强;郭红霞;王桂珍;林东生;陈伟;白小燕;杨善潮;刘岩;;SRAM单元中子单粒子翻转效应的Geant4模拟[J];原子能科学技术;2010年03期
【共引文献】
中国期刊全文数据库 前8条
1 李华;;中子引起单粒子翻转过程中能量沉积统计分析[J];原子核物理评论;2006年01期
2 李华;中子引起单粒子翻转过程的MonteCarlo计算模拟[J];计算物理;1999年05期
3 李华,陈世彬;Monte Carlo方法在单粒子翻转数值模拟中的应用[J];计算物理;2002年02期
4 周定江;金明河;任伟;禹超;;基于LEON3的中央控制器设计及EDAC功能实现[J];机械与电子;2011年10期
5 李华;;10—20MeV中子引起单粒子翻转能量沉积统计分析[J];高能物理与核物理;2006年12期
6 李华,陈雨生;单粒子翻转脉冲激光模拟的能量阈值的计算[J];强激光与粒子束;2001年04期
7 李春芝;菅阳阳;何颖卓;;基底性质对二维层状电子气感应电场的影响[J];强激光与粒子束;2014年12期
8 杨善潮;齐超;刘岩;郭晓强;金晓明;陈伟;白小燕;林东生;王桂珍;王晨辉;李斌;;中子单粒子效应研究现状及进展[J];强激光与粒子束;2015年11期
中国博士学位论文全文数据库 前2条
1 尚也淳;SiC材料和器件特性及其辐照效应的研究[D];西安电子科技大学;2001年
2 王同权;高能质子辐射效应研究[D];中国人民解放军国防科学技术大学;2003年
中国硕士学位论文全文数据库 前1条
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【二级参考文献】
中国期刊全文数据库 前4条
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2 唐欣欣;罗文芸;王朝壮;贺新福;查元梓;樊胜;黄小龙;王传珊;;低能质子在半导体材料Si和GaAs中的非电离能损研究[J];物理学报;2008年02期
3 杨海亮,李国政,李原春,姜景和,贺朝会,唐本奇;质子和中子引起的单粒子效应及其等效关系理论模拟[J];原子能科学技术;2001年06期
4 贺朝会,陈晓华,李国政,杨海亮;质子单粒子翻转截面计算方法[J];中国空间科学技术;2000年05期
【相似文献】
中国期刊全文数据库 前4条
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中国重要会议论文全文数据库 前1条
1 白雪平;韩露;汪朝敏;熊平;李立;刘昌举;石念;;基于TCAD的EMCCD仿真研究[A];中国光学学会2010年光学大会论文集[C];2010年
中国硕士学位论文全文数据库 前5条
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3 钟浩;非挥发性存储器的物理机制和TCAD模拟[D];安徽大学;2011年
4 李丽;Pt/Bi_(3.15)Nd_(0.85)Ti_3O_(12)/Pt铁电电容X射线辐照实验与TCAD模拟[D];湘潭大学;2013年
5 甘程;纳米级MOSFETs的3D TCAD建模与结构研究[D];电子科技大学;2014年
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