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《南京大学学报(自然科学)》 2014年03期
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GaN纳米柱的量子效率研究

李扬扬  陈鹏  蒋府龙  杨国锋  刘斌  谢自立  修向前  韩平  赵红  华雪梅  施毅  张荣  郑有炓  
【摘要】:主要通过低温和室温变功率光致发光(PL)谱的实验手段,研究了GaN纳米柱和对应薄膜(作为参考)的量子效率表现.实验中发现在室温,激发光功率为0.5mW时,GaN纳米柱的积分PL强度是薄膜的12.2倍,这表明GaN纳米柱具有比薄膜更高的内量子效率和光引出效率.另外,依据高低温积分PL强度比的方法计算得到激发光功率0.5mW时,GaN纳米柱的内量子效率低于薄膜,该计算结果违背由实验现象得到的结果,这表明该内量子效率的计算方法是不合适的,因而建立了一种新模型,得到GaN纳米柱和薄膜的内量子效率比随激发光功率的变化规律,结果表明GaN纳米柱的内量子效率表现显著优于薄膜.

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2 沈龙海;富松;石广立;;氮化镓纳米粒子的制备及光致发光研究[J];发光学报;2014年05期
3 温连健;尚宗峰;吴慈刚;;GaN异质外延中的侧向生长技术[J];半导体技术;2015年07期
4 郭瑞花;卢太平;贾志刚;尚林;张华;王蓉;翟光美;许并社;;界面形核时间对GaN薄膜晶体质量的影响[J];物理学报;2015年12期
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