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《微电子学》 1996年01期
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1μm宽硅深槽刻蚀技术

王清平  郭林  刘兴凤  蔡永才  黄正学  
【摘要】:介绍了硅深槽刻蚀的基本原理和影响对蚀效果的几个主要工艺因素。提出了一种实现1μm宽的硅深槽刻蚀工艺途径;并给出了1μm宽、8μm深、侧壁及底部光洁的硅深糟刻蚀工艺条件。
【作者单位】电子工业部第24研究所
【分类号】:TN405.983

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【引证文献】
中国期刊全文数据库 前2条
1 张正元,徐学良,税国华,曾莉,刘玉奎;SOI电路窄沟槽隔离技术研究[J];微电子学;2005年04期
2 王界平,王清平;SOI全介质隔离与高频互补双极兼容工艺[J];微电子学;1996年03期
中国硕士学位论文全文数据库 前3条
1 赵晓锋;采用MEMS技术制作硅磁敏三极管研究[D];黑龙江大学;2003年
2 孔祥飞;基于压力传感器的轮胎监测系统的研究[D];黑龙江大学;2007年
3 任华;MOSFETs力/磁传感器集成化研究[D];黑龙江大学;2008年
【参考文献】
中国期刊全文数据库 前1条
1 王清平,苏韧;硅槽刻蚀技术中的源气体选择[J];微电子学;1994年06期
【共引文献】
中国博士学位论文全文数据库 前1条
1 董玮;体硅微机械光开关的设计与制作工艺的研究[D];吉林大学;2004年
中国硕士学位论文全文数据库 前1条
1 张毅骏;微电子6寸晶圆接触孔刻蚀工艺开发[D];华东师范大学;2010年
【同被引文献】
中国期刊全文数据库 前10条
1 丁浩,樊进,尹燕,洪琪,柯导明,陈军宁;四端硅压力传感器的解析模型[J];安徽大学学报(自然科学版);2004年05期
2 林成鲁;SOI技术的新进展[J];半导体技术;2003年09期
3 张佐兰;新型的SOI技术[J];半导体技术;1994年03期
4 何德湛,郑宜波,张敏;原子力显微镜微探针制造及阳极键合技术[J];半导体技术;1997年02期
5 吕惠民,田敬民;压力传感器的研究现状与发展趋势[J];半导体技术;1998年02期
6 姚雅红,吕苗,赵彦军,崔战东;微传感器制造中的硅-玻璃静电键合技术[J];半导体技术;1999年04期
7 黄得星;长基区晶体管的磁敏感效应[J];半导体学报;1982年04期
8 鲍敏杭,齐薇佳,王言;横向电压型压力传感器灵敏度的几何效应[J];半导体学报;1987年04期
9 何进,王新,陈星弼;基于SDB技术的新结构PT型IGBT器件研制[J];半导体学报;2000年09期
10 岳瑞峰,刘理天,李志坚;集成MOS力敏运放压力传感器[J];半导体学报;2001年04期
中国硕士学位论文全文数据库 前1条
1 朱德智;X型硅压阻式压力传感器的解析模型研究[D];安徽大学;2003年
【二级引证文献】
中国期刊全文数据库 前2条
1 阎文静;张鉴;高香梅;;压阻式压力传感器性能的研究[J];传感器世界;2012年02期
2 韩卫敏;杨永晖;;A/D与D/A转换器主流工艺技术现状和发展趋势[J];微电子学;2008年06期
中国硕士学位论文全文数据库 前1条
1 王钰;基于硅磁敏二极管开关电路的设计[D];黑龙江大学;2010年
【二级参考文献】
中国期刊全文数据库 前1条
1 武俊齐;减小双极超高速IC尺寸的技术[J];微电子学;1991年01期
【相似文献】
中国期刊全文数据库 前10条
1 王清平,郭林,刘兴凤,蔡永才,黄正学;1μm宽硅深槽刻蚀技术[J];微电子学;1996年01期
2 刘家璐,张廷庆,刘华预,王清平,叶兴耀;HBr反应离子刻蚀硅深槽[J];微电子学;1995年04期
3 钱钢,张利春,阎桂珍,王咏梅,张大成,王阳元;一种新的硅深槽刻蚀技术研究[J];半导体学报;1994年01期
4 冯向明,阮刚;一种用于VLSI工艺模拟的反应离子刻蚀速率模型[J];半导体学报;1990年01期
5 胡思福,格林M;硅氧化物反应离子刻蚀均匀性研究(英文)[J];电子科技大学学报;1991年02期
6 余山;章定康;黄敝;;反应离子刻蚀(RIE)Si_3N_4的研究[J];电子工艺技术;1991年05期
7 赵伟;超高速ECL工艺中铝和硅-铝的反应离子刻蚀[J];微电子学;1991年04期
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10 应再生;CMOS集成电路难熔金属钼栅的高频溅射淀积和反应离子刻蚀[J];微细加工技术;1988年02期
中国重要会议论文全文数据库 前10条
1 彭冬生;金柯;;硅衬底微球反应离子刻蚀技术研究[A];中国光学学会2011年学术大会摘要集[C];2011年
2 唐圣明;陈思琴;熊幸果;;硅传感器反应离子刻蚀的观察[A];第十一次全国电子显微学会议论文集[C];2000年
3 黄成功;陈福深;;高速聚合物电光调制器的制备技术[A];2006中国西部青年通信学术会议论文集[C];2006年
4 端木庆铎;田景全;姜德龙;李野;卢耀华;富丽晨;;用半导体工艺制作硅微通道板[A];第一届全国纳米技术与应用学术会议论文集[C];2000年
5 王卓;孙大亮;胡季帆;许效红;王栋;王民;王弘;王春雷;陈焕矗;房昌水;刘训春;魏珂;;Bi_2Ti_2O_7薄膜的反应离子刻蚀及原子力显微镜研究[A];第四届中国功能材料及其应用学术会议论文集[C];2001年
6 姜建东;孙承龙;王渭源;陈芬扣;叶树萍;王德宁;;SF_6/CCl_2F_2中加O_2反应离子深刻蚀Si[A];首届中国功能材料及其应用学术会议论文集[C];1992年
7 罗飚;沈坤;阳洪涛;谈春雷;;DFB-LD的光栅干法刻蚀研究[A];全国第十一次光纤通信暨第十二届集成光学学术会议(OFCIO’2003)论文集[C];2003年
8 徐向东;洪义麟;霍同林;周洪军;陶晓明;傅绍军;;同步辐射Laminar光栅的研制[A];现代光学制造技术论文集[C];2002年
9 张希珍;张丹;张海明;吕赵鸿;张大明;孙伟;;有机掺铒波导放大器的最新进展[A];全国第十二次光纤通信暨第十三届集成光学学术会议论文集[C];2005年
10 章维一;侯丽雅;;微系统领域3个关键技术的评述[A];面向21世纪的科技进步与社会经济发展(上册)[C];1999年
中国重要报纸全文数据库 前10条
1 杨连基;优利讯推广半导体工艺服务[N];电子资讯时报;2004年
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3 宋丁仪 DigiTimes;半导体工艺周期性变革 造就新赢家[N];电子资讯时报;2007年
4 张亚男;高校毕业生岗前再“充电”[N];北方经济时报;2007年
5 宋丁仪 DigiTimes;共组SOI联盟 19企业入列[N];电子资讯时报;2007年
6 萨支唐口述 诗文整理;半导体工艺进入纳米时代遭遇基本物理学极限[N];电子资讯时报;2004年
7 莫大康;DRAM 8英寸线趋减 IC制造须理性突围[N];中国电子报;2007年
8 李洵颖 DigiTimes;日月光、矽品加快无铅工艺[N];电子资讯时报;2006年
9 杨春;IBM与日立合作研究先进半导体工艺[N];电子资讯时报;2008年
10 本报记者 刘晖;“打印”出来的平板电视[N];计算机世界;2004年
中国博士学位论文全文数据库 前10条
1 周立兵;硅基二氧化硅型阵列波导光栅的研制[D];华中科技大学;2005年
2 曹萌;干法刻蚀和离子注入影响Ⅲ-Ⅴ族半导体量子阱发光特性研究[D];中国科学院研究生院(上海微系统与信息技术研究所);2007年
3 周敬然;加速度传感器ICP关键制作工艺及检测电路的研究[D];吉林大学;2008年
4 陈曜;微纳光学环腔生物传感芯片的制备研究[D];华中科技大学;2009年
5 张乐天;紫外写入技术制备Si基SiO_2阵列波导光栅器件基础研究[D];吉林大学;2004年
6 肖凯;软X射线聚焦波带片研究[D];中国科学技术大学;2006年
7 吴文娟;极紫外和软X射线窄带多层膜的研究[D];同济大学;2007年
8 时尧成;基于平面光波导的耦合/干涉型集成器件的研究[D];浙江大学;2008年
9 高延军;二维电子倍增器及其新技术研究[D];长春理工大学;2008年
10 张博;基于硅基半导体技术的130GHz 10Gbit/s无线数据传输系统芯片关键电路研究[D];西安电子科技大学;2011年
中国硕士学位论文全文数据库 前10条
1 檀承志;掺铒有机聚合物光波导放大器研究[D];吉林大学;2006年
2 何小锋;反应离子刻蚀设备的方案设计研究[D];国防科学技术大学;2004年
3 周宏;用于半导体激光器阵列准直的微透镜设计与工艺研究[D];华中科技大学;2005年
4 谢申奇;基于纳米压印技术的大面积高密度光栅的研制[D];复旦大学;2008年
5 虞江;计算机控制的反应离子刻蚀系统及刻蚀研究[D];浙江大学;2002年
6 朱赤;反应离子刻蚀的计算机仿真[D];东南大学;2006年
7 赵保军;纳米粒子和碳纳米管的自组装及硅纳米柱阵列的刻蚀加工研究[D];上海交通大学;2008年
8 王连锴;空间激光通信用半导体激光放大器[D];长春理工大学;2008年
9 疏珍;基于亚波长光栅的纳米压印模板工艺及光学仿真研究[D];复旦大学;2009年
10 张建立;光通信中基于半导体工艺的硅基光波导技术的研究[D];浙江大学;2005年
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