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《微电子学》 2011年04期
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Bi_(3.15)Nd_(0.85)Ti_3O_(12)薄膜的ICP刻蚀及性能研究

郭淑兰  王敏  徐学东  李佳  
【摘要】:采用溶胶-凝胶法,在Pt/Ti/SiO2/p-Si衬底上制备BNT(Bi3.15Nd0.85Ti3O12)薄膜,再采用ICP刻蚀工艺,对BNT薄膜进行刻蚀。当Ar∶Cl2的比例约为1∶4时,BNT薄膜的刻蚀速率达到最大。经过ICP刻蚀后,BNT薄膜的铁电性能有所下降,薄膜边缘平直、清晰,薄膜所受的拉应力先增大,后随着加入Ar比例的增大而逐渐减小。
【作者单位】长春工程学院机电学院;宁波材料研究所;
【分类号】:O484.1

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【参考文献】
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