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《微电子学》 2011年04期
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2.4GHz SiGe BiCMOS功率放大器核心电路设计

苏杰  张书霖  陈磊  赖宗声  
【摘要】:基于宏力半导体有限公司最新的0.18μm SiGe BiCMOS 1P6M工艺,提出了一种应用于2.4~2.5 GHz频段的功率放大器,采用两级共发射极结构,优化了电路结构和元件参数,并使用片上和片外电感电容进行匹配。仿真结果表明,电路在2.4~2.5 GHz频率范围内,增益(S21)达到21 dB,输入和输出匹配(S11,S22)分别达-到17 dB和-22 dB,1 dB输出压缩点为16.7 dBm。在电源电压为3.3 V时,电路总消耗电流为275 mA。

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