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《量子电子学报》 2008年03期
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不同N_2气流量比反应溅射TiN薄膜的表面形貌分形特征

雒向东  
【摘要】:采用反应磁控溅射工艺通过改变N_2气流量比在Si衬底上沉积300nm厚TiN薄膜。用原子力显微镜(AFM)观察薄膜表面形貌,并根据分形理论予以定量表征。结果表明:TiN薄膜的溅射模式与分形维数D_f值的演化存在相关性。当N_2气流量比由0.0%增加至4.0%时,TiN薄膜的溅射方式属于金属模式,D_f保持不变;当N_2气流量比继续增加至10.0%时,薄膜溅射方式转变为过渡模式,此时D_f急剧减小;而当N_2气流量比超过10.0%以后,薄膜溅射模式改变为氮化物模式,相应的D_f轻微增加。
【作者单位】兰州城市学院培黎工程技术学院
【分类号】:TN304.055

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