Si/SiO_2异质界面的超精细硅量子线
【摘要】：正作为半导体科学技术研究前沿领域的硅低维量子结构,它无论在低维物理基础研究,还是在技术应用上,都具有十分重要的意义.硅量子线作为纳米电子学的基础,将发展实现特大规模集成电路和开拓新一代硅量子效应的器件;同时,这种人工设计的一维微结构材料的能带结构不同于天然硅材料,可望获得高的发光效率,用于发展硅基集成光电子技术.国际上采用先进的材料生长手段和各种亚微米级以至纳米级的超微细
|
|
|
|
| 1 |
张洪洲,白志刚,丁埃,杭青岭,俞大鹏,冯孙齐;纳米硅量子线的平均直径和气压的依赖关系[J];电子显微学报;1998年05期 |
| 2 |
陆阳，施毅，刘建林，汪峰，张荣，顾书林，郑有，茅保华，谢中华;采用锗硅异质外延方法制备硅量子线[J];固体电子学研究与进展;1996年03期 |
| 3 |
刘广荣;;注氧隔离技术制备全介质隔离的硅量子线[J];半导体信息;2004年01期 |
| 4 |
刘益春,张月清,高瑛,刘学彦;In_(1-x)Ga_xAs_yP_(1-y)/InP异质界面晶格失配对外延晶体质量的影响[J];发光学报;1990年03期 |
| 5 |
施毅，刘建林，汪峰，张荣，韩平，顾树林，郑有，茅保华;硅量子线的研究[J];高技术通讯;1995年10期 |
| 6 |
兆铮;高质量的硅量子线[J];固体电子学研究与进展;1994年01期 |
| 7 |
刁鹏,李经建,蔡生民,张树霖;多孔硅中硅量子线横截面尺寸的“恒定”与“台阶”行为[J];科学通报;1996年16期 |
| 8 |
刘安生,邵贝羚,安生,刘峥,王敬;红外探测器中的异质界面和缺陷的研究[J];电子显微学报;2000年04期 |
| 9 |
百铮;高质量的硅量子线[J];半导体杂志;1994年03期 |
| 10 |
张贤高;方忠慧;陈坤基;钱昕晔;刘广元;徐骏;黄信凡;何飞;;双栅调控的硅量子线中的库仑振荡效应[J];物理学报;2011年02期 |
| 11 |
S·R·Forrest
,屈积建;In_(0.53)Ga_(0.47)As/InP异质结的深能级[J];半导体光电;1983年02期 |
| 12 |
柯三黄，黄美纯，王仁智;不同晶面与应变状态下Si／Ge应变异质界面的价带能量不连续性[J];物理学报;1996年01期 |
| 13 |
汪开源;黄玉辉;曹康敏;;用试探值α分析InGaAs/InP异质界面[J];东南大学学报(自然科学版);1989年04期 |
| 14 |
柯三黄，黄美纯，王仁智;Si－GaAs（001）异质界面的价带不连续性及其应变效应[J];半导体学报;1996年03期 |
| 15 |
王凯;张永刚;顾溢;李成;李好斯白音;李耀耀;;异质界面数字梯度超晶格对扩展波长InGaAs光电探测器性能的改善[J];红外与毫米波学报;2009年06期 |
| 16 |
D.Ankri;赵旭霞;;GaAlAs-GaAs双异质结双极晶体管的直流特性分析[J];微纳电子技术;1986年06期 |
| 17 |
张晓燕,王旭;磁场中异质界面上中性施主的束缚能[J];内蒙古大学学报(自然科学版);1998年01期 |
| 18 |
王秀珍;改善PbTe/PbSnTe液相外延表面质量的研究[J];红外与毫米波学报;1986年05期 |
| 19 |
杨晓云;应变的ZnSe／ZnTe异质界面的带偏移[J];辽宁大学学报(自然科学版);1996年02期 |
| 20 |
柯三黄，黄美纯，王仁智;InAs／GaAs应变异质界面能带排列的极端应变效应[J];厦门大学学报(自然科学版);1995年04期 |
|
手机打开
快捷付款方式
订购知网充值卡
订购热线
帮助中心