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《高能物理与核物理》 2006年10期
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用电子散射对S核和Si核同位素的进一步研究

范颖  任中洲  
【摘要】:用相对论平均场计算了26,28,30,32s和22,24,26,28Si的结合能,均方根半径,质子皮厚度,单粒子能级等.两套参数TM2和NL-SH的计算结果与实验值比较符合.用平均场与相对论Eikonal近似结合计算出32S和28Si的形状因子和微分截面的结果,与实验值也符合得较好.进一步研究了S和Si的同位素链的基本性质和电子散射,讨论了电子散射的电荷形状因子对电荷密度变化的敏感性.电荷形状因子在下一代电子-不稳定原子核对撞机上可以测量,这将能精确测量不稳定核的电荷半径和电荷密度分布,本文计算的结果可供未来实验参考.

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【参考文献】
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1 王再军,任中洲;用电子散射研究丰质子核的质子晕结构[J];高能物理与核物理;2005年03期
【共引文献】
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2 王再军,任中洲;用电子散射研究丰质子核的质子晕结构[J];高能物理与核物理;2005年03期
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