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InP衬底上LP-MOCVD生长InAs自组装量子点

王本忠  刘式墉  赵方海  孙洪波  彭宇恒  李正廷  
【摘要】:报道利用低压金属有机化学气相沉积(LP-MOCVD)技术在(001)InP衬底上生长InAs自组装量子点的结果,用光致发光技术观察到较强的室温光荧光谱,其峰值波长约为1603um,分布在1300um~1700um范围内,半高峰宽为80meV

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