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《激光与红外》 2017年09期
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固体纳秒激光器应用于非晶硅薄膜结晶的研究

王帅  刘敏  潘岭峰  张紫辰  王晓峰  杨富华  
【摘要】:多晶硅薄膜比非晶硅薄膜具有更高的电子迁移率,在器件中表现出更优良的性能,脉冲激光结晶非晶硅薄膜制备多晶硅薄膜的方法具有热积存小、对衬底影响小、成本低等优点。使用532 nm固体纳秒激光器进行了非晶硅薄膜激光结晶实验,为了解决直接使用高斯光束结晶时因光斑能量分布带来的结晶效果不均匀,首先基于光束整型系统将圆形的高斯光束整型成为线性平顶光束,而后研究单脉冲能量密度、脉冲个数、非晶硅薄膜厚度对结晶效果的影响。结果表明,线性平顶光束用于非晶硅薄膜结晶具有更好的均匀性,对于100 nm非晶硅薄膜,随着能量密度的增加,晶粒逐渐变大,直到表面出现热损伤,最大晶粒尺寸约为1μm×500 nm。随着脉冲个数的增加,表面粗糙度有减小的趋势,观察到的最小粗糙度约为2.38 nm。对于20nm超薄非晶硅薄膜,只有当能量密度位于134 mJ/cm~2和167 mJ/cm~2之间、脉冲个数大于或等于八个时才能观察到明显的结晶效果。
【作者单位】中国科学院半导体研究所;中国科学院微电子研究所;
【关键词】脉冲激光 激光结晶 超薄非晶硅薄膜 多晶硅薄膜
【基金】:国家自然科学基金面上项目(No.61376083) 中国科学院院装备研制项目资助
【分类号】:TN249;TN304.12
【正文快照】:
1引言基于硅材料的薄膜晶体管(Thin Film Transistor,TFT)在液晶显示(Liquid Crystal Display,LCD)和有源矩阵有机发光二极体(Active Matrix Organic LightDiode,AMOLED)领域扮演举足轻重的角色。相比于非晶硅薄膜,多晶硅薄膜的电学特性有了很大改善,非晶硅的电子迁移率低于1

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