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《激光与红外》 1984年11期
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高质量n-Hg_(0.8)Cd_(0.2)Te外延膜的制备及其在红外探测器(λ=8~14μm)中的应用

KoukiNagahama  张少川  
【摘要】:在过Hg压下对外延膜退火,然后给退火层扩散铟,可在CdTe衬底上制得高迁移率的n-型Hg_(0.8)Cd_(0.2)Te液相外延膜,其重复性好。在77K时,载流子浓度和霍尔迁移率分别为1.5~2.0×10~(15)cm_(-3)和1.0~1.5×10~5cm~2/V·s。使用这些外延膜之一制作的光导红外探测器的D_μ~*2×l0~(10)cm·Hz~(1/2)/W(8~14μm),峰值D_(λp)~*3×10~(10)cm·Hz~(1/2)/W(13μm)。

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