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SiC晶须VLS生长机理及生长动力学研究

陈友存  王启宝  
【摘要】:对VLS机理下稻壳合成SiC晶须(SiCW)及生长动力学进行了研究。结果表明,SiO2与C在高温下生成SiO的反应是SiC晶须生长的速率控制步骤;在形成晶须的催化剂作用下,SiC晶须的生长速率与SiO在催化剂熔球周围的浓度成正比;SiC晶须生长的催化选择性随温度的增加而提高;复合催化剂可提高合成SiC晶须的反应速率及催化选择性。

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