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《红外与毫米波学报》 2004年02期
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利用P-MBE在Si(111)衬底上生长氧化锌薄膜及其光学性质的研究

颜建锋  梁红伟  吕有明  刘益春  李炳辉  申德振  张吉英  范希武  
【摘要】:在Si( 111)衬底上利用等离子体辅助分子束外延 (P MBE)生长氧化锌 (ZnO)薄膜 ,研究了在不同衬底生长温度下 ( 35 0~ 75 0℃ )制备的ZnO薄膜的结构和光学性质 .随着衬底温度的升高 ,样品的X射线及光致发光的半高宽度都是先变小后变大 ,衬底温度为 5 5 0℃样品的结构及光学性质都比较好 ,这表明 5 5 0℃为在Si( 111)衬底上生长ZnO薄膜的最佳衬底温度 ;同时 ,我们还通过 5 5 0℃样品的变温光致发光谱 ( 81~ 30 0K)研究了ZnO薄膜室温紫外发光峰的来源 ,证明其来源于自由激子发射

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