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《红外与毫米波学报》 1989年02期
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异质结内建电压的研究

杨文库  邓文荣  
【摘要】:本文提出了准确测量内建电压的W(结宽)-N_(eff)~(-1/2)(有效空间电荷密度)方法;并发现偏压强烈地影响内建电压;照明不改变异质结的内建电压,而使结宽变窄.偏压为零时,测得CdS/CuInSe_2:异质结的内建电压为:1.14V(样品CIS76.1-2),0.437V(样品CIS76.1-3),0.293V(样品CIS76.1-4).
【作者单位】长春光学精密机械学院电子工程系 中科院长春光学精密机械研究所
【正文快照】:
1,引言 我们在不同的照度和不同的偏压下研究了CdS/OnlnS如异质结的内建电压.利用测量异质结电容O的方法,测得了在不同的照度和无照明的情况下的o--F,1/0礼V和IV一V以及Neff(有效载流子浓度)一F的关系曲线.利用这些关系曲线,即可计算在不同偏压下的W一1/Ne任习”的关系.再利

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