异质结内建电压的研究

【摘要】：本文提出了准确测量内建电压的W(结宽)-N_(eff)~(-1/2)(有效空间电荷密度)方法;并发现偏压强烈地影响内建电压;照明不改变异质结的内建电压,而使结宽变窄.偏压为零时,测得CdS/CuInSe_2:异质结的内建电压为:1.14V(样品CIS76.1-2),0.437V(样品CIS76.1-3),0.293V(样品CIS76.1-4).

【作者单位】：长春光学精密机械学院电子工程系中科院长春光学精密机械研究所

下载全文更多同类文献

PDF全文下载

CAJ全文下载

(如何获取全文？欢迎：购买知网充值卡、在线充值、在线咨询)

CAJViewer阅读器支持CAJ、PDF文件格式，AdobeReader仅支持PDF格式

	【相似文献】
	【相似文献】

中国期刊全文数据库

前10条

1	周洁,王杏华,李树英;硅中金杂质分布的测量[J];半导体学报;1981年01期
2	田牧;异质结扩散模型电流传输理论研究——Ⅱ.一维半导体结边界上边界条件的统一理论[J];固体电子学研究与进展;1983年03期
3	H·Beneking;赵丽华;;双异质结NpN GaAlAs/GaAs双极晶体管[J];微纳电子技术;1984年05期
4	苏里曼;双收集区InCaAs/InP双极型晶体管[J];半导体技术;1985年04期
5	李中南 ,芦云蓉 ,欧健雄 ,刘玉兰;关于GaAs多层外延结构C-V曲线的理论分析与实际应用[J];半导体技术;1985年04期
6	苏里曼;透明CdO膜发射区InGaAs光电晶体管[J];电子学报;1986年02期
7	Tzu-Hung Chen;汤西英;;离子注入GaAsFET的解析模型[J];微纳电子技术;1986年01期
8	;我院又有几项科研成果通过省部级技术鉴定[J];长春理工大学学报;1989年04期
9	杨文库,邓文荣;异质结内建电压的研究[J];红外与毫米波学报;1989年02期
10	杨文库，杨宇欣，邓文荣;CdS／CuInSe_2异质结内建电压测试理论和方法的研究[J];半导体学报;1995年09期

中国博士学位论文全文数据库

前1条

1	王宁章;层状结构铁电存储器的研究[D];华中科技大学;2005年

	快捷付款方式		订购知网充值卡	订购热线	帮助中心
	银行卡支付宝神州行	知网卡手机短信更多>>	免费送卡上门银行汇款购卡邮局汇款购卡	400-819-9993 010-62791813 010-62985026	常见问题在线咨询阅读器下载	广告服务知网卡新手指南