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《核技术》 2011年09期
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12位BiCMOS模数转换器的剂量率效应

吴雪  陆妩  王义元  胥佳灵  张乐情  卢健  于新  胡天乐  
【摘要】:对商用BiCMOS模数转换器(ADC)AD678进行不同剂量率下电离辐射效应及室温退火特性的研究。结果表明,ADC的敏感参数在不同剂量率下的响应有差异;模拟电源电流和数字电源电流的辐照响应差别较大,微分非线性误差(DNL)、积分非线性误差(INL)和失码(Misscode)在低剂量率下电离损伤更严重,表现出明显的低剂量率损伤增强效应(Enhanced-Low-Dose-Rate-Sensitivity,ELDRS)。结合工艺条件和空间电荷模型对ADC的损伤机理进行了讨论。

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【参考文献】
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【共引文献】
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【二级参考文献】
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【相似文献】
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