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硅基纳米β-SiC量子点列阵的制备

吴兴龙  顾沂  鲍希茂  
【摘要】:报道了用两步自组装法制备硅基纳米碳化硅量子点列阵. 先将两种硅烷偶联剂均匀有序地偶联到洁净的单晶硅片上,其中一种偶联剂能打破C60上的碳碳双键而使C60通过偶联剂均匀有序地分布在硅片的表面上. 然后用夹心法或覆盖法将样品在900oC的氮气氛中退火20 min,使C60分解成活性碳,与周围的硅原子结合生成碳化硅,碳化硅分子的自组装形成了碳化硅纳米晶粒(量子点),C60在硅表面的有序排列导致了纳米碳化硅量子点列阵形成.

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1 吴兴龙,顾沂,鲍希茂;硅基纳米β-SiC量子点列阵的制备[J];过程工程学报;2002年04期
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