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《河北工业大学学报》 2004年02期
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直拉硅片杂质缺陷的控制与利用

李养贤  郝秋艳  杨帅  马巧云  
【摘要】:简要叙述了直拉硅中缺陷工程的研究进展.提出了采用中子辐照或掺杂技术,在硅中引入杂质缺陷,并通过其相互作用实现对硅中杂质和缺陷的控制与利用.此项研究是硅片缺陷工程的新内容.

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【参考文献】
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【共引文献】
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