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《光子学报》 2011年06期
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射频磁控溅射法制备N掺杂β-Ga_2O_3薄膜的光学特性(英文)

闫金良  张易军  李清山  曲崇  张丽英  李厅  
【摘要】:在不同氨分压比(0~30%)下,用射频磁控溅射法在玻璃和硅衬底上制备了N掺杂β-Ga2O3薄膜.研究了氨分压比和退火对薄膜光学和结构特性的影响.N掺杂β-Ga2O3薄膜的微结构、光学透过率、光学吸收和光学带隙随着氨分压比的增加发生了显著变化.观察到了绿光、蓝光和紫外发光带,并对每个发光带进行了讨论.

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