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《硅酸盐学报》 2004年03期
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6H-SiC单晶的生长与缺陷

胡小波  徐现刚  王继扬  韩荣江  董捷  李现祥  蒋民华  
【摘要】:采用升华法 ,在一定的温度、气体压力和流量的条件下 ,生长了尺寸 5 0 .8mm的 6HSiC单晶。利用光学显微术观察了原生晶体的表面形貌 ,发现了微管在晶体表面的露头点具有明显的多个螺位错成核特征。采用透射模式对抛光晶片进行观察 ,发现了SiC晶体内的典型缺陷 ,如 :负晶、微管、碳颗粒等 ,并对它们的形成机理进行了讨论。

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【引证文献】
中国博士学位论文全文数据库 前2条
1 耿延玲;LAP晶体和MMTC晶体表面形貌与生长机理研究[D];山东大学;2006年
2 刘军林;SiC单晶制备与晶体缺陷研究[D];西安交通大学;2006年
【同被引文献】
中国期刊全文数据库 前4条
1 董捷,刘喆,徐现刚,胡晓波,李娟,王丽,李现祥,王继扬;SiC单晶生长热力学和动力学的研究[J];人工晶体学报;2004年03期
2 胡小波,徐现刚,李现祥,董捷,韩荣江,王丽,李娟,王继扬,田玉莲,黄万霞,朱佩平;同步辐射单色光形貌术观察6H-SiC单晶中的微管缺陷[J];人工晶体学报;2004年03期
3 陈之战,施尔畏,肖兵,庄击勇;原料对碳化硅单晶生长的影响[J];无机材料学报;2003年04期
4 李娟,胡小波,王丽,李现祥,韩荣江,董捷,姜守振,徐现刚,王继扬,蒋民华;升华法生长大直径的SiC单晶[J];中国有色金属学报;2004年S1期
【相似文献】
中国期刊全文数据库 前2条
1 胡小波,徐现刚,王继扬,韩荣江,董捷,李现祥,蒋民华;6H-SiC单晶的生长与缺陷[J];硅酸盐学报;2004年03期
2 胡小波,徐现刚,王继扬,韩荣江,董捷,李现祥,蒋民华;6H-SiC单晶的生长与缺陷[J];硅酸盐学报;2004年03期
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