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《光学学报》 2010年05期
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空位缺陷对CdS电子结构和光学性质的影响

李春霞  党随虎  韩培德  
【摘要】:采用基于密度泛函理论(DFT)第一性原理的平面波超软赝势方法,对空位缺陷体系的几何结构进行优化计算,发现空位引起周围原子的弛豫,晶格结构发生畸变。在此基础上研究了空位缺陷对闪锌矿结构CdS体系电子结构(能带结构、电子态密度)的影响,结果表明,S空位使得能带变窄,而Cd空位使带隙变宽,但二者仍为直接带隙半导体。对光学性质的研究发现,由于空位的介入使其邻近原子电子结构发生变化,使得空位缺陷体系光学性质的变化主要集中在低能量区。

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【参考文献】
中国期刊全文数据库 前2条
1 沈杰,马国宏,章壮健,华中一,唐星海;用一维光子带隙结构增强硫化镉双光子吸收研究[J];光学学报;2005年08期
2 丁少锋;范广涵;李述体;肖冰;;氮化铟p型掺杂的第一性原理研究[J];物理学报;2007年07期
【共引文献】
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1 沈杰;马国宏;章壮健;华中一;唐星海;;双缺陷模一维光子晶体的双光子吸收增强研究[J];光学学报;2006年09期
【同被引文献】
中国期刊全文数据库 前6条
1 敖建平,何青,孙国忠,刘芳芳,黄磊,李薇,李凤岩,孙云,薛玉明;化学水浴沉积CdS薄膜晶相结构及性质[J];半导体学报;2005年07期
2 沈杰,马国宏,章壮健,华中一,唐星海;用一维光子带隙结构增强硫化镉双光子吸收研究[J];光学学报;2005年08期
3 张富春;邓周虎;阎军锋;张志勇;;ZnO电子结构与光学性质的第一性原理计算[J];光学学报;2006年08期
4 潘志军,张澜庭,吴建生;掺杂半导体β-FeSi_2电子结构及几何结构第一性原理研究[J];物理学报;2005年11期
5 丁少锋;范广涵;李述体;肖冰;;氮化铟p型掺杂的第一性原理研究[J];物理学报;2007年07期
6 胡永金;崔磊;赵江;滕玉永;曾祥华;谭明秋;;高压下ZnS的电子结构和性质[J];物理学报;2007年07期
【二级参考文献】
中国期刊全文数据库 前10条
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2 谢茹胜,赵有源,李潞瑛,郑元庆;新型聚偶氮苯取向增强光折变效应及全息存储[J];光学学报;2005年07期
3 沈杰,马国宏,章壮健,华中一,唐星海;用一维光子带隙结构增强硫化镉双光子吸收研究[J];光学学报;2005年08期
4 付博;张国权;赵璐冰;乔海军;徐庆君;申岩;许京军;孔勇发;孙军;陈绍林;;同成分掺镁铌酸锂晶体紫外光致吸收阈值效应的研究[J];光学学报;2005年11期
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中国重要会议论文全文数据库 前10条
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中国博士学位论文全文数据库 前4条
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中国硕士学位论文全文数据库 前10条
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