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《光学学报》 1992年09期
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场助InP/InGaAsP/InP半导体光电阴极异质结能带的计算

李晋闽  郭里辉  王存让  张工力  侯洵  
【摘要】:采用双曲型的渐变函数,同时考虑加偏压时引起的阴极表面空间电荷区的变化,对场助InP/TnGaAsP/InP半导体光电阴极异质结的能带结构进行了详细的分析和计算,得到了在不同材料参数时,异质结能带结构的分布曲线.计算结果指出了达到理想的异质结传输效率时,发射层的厚度和掺杂浓度、吸收层的掺杂浓度、异质结界面处渐变区宽度以及场助偏压应满足的条件.它有助于场助半导体光电阴极的结构设计和材料参数的选择.

【参考文献】
中国期刊全文数据库 前1条
1 李晋闽,郭里辉,侯洵,王存让,张工力;场助InGaAsP/InP异质结半导体光电阴极的研究[J];光学学报;1992年06期
【相似文献】
中国期刊全文数据库 前10条
1 李晋闽,郭里辉,王存让,张工力,侯洵;场助InP/InGaAsP/InP半导体光电阴极异质结能带的计算[J];光学学报;1992年09期
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