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《Chinese Optics Letters》 2013年11期
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Stable field emission of ion-sputtering-induced Si nanocone arrays

薛绍林  吴淑贤  邱迎  陆明  
【摘要】:Silicon nanocone arrays with metal silicide(Fe and Cr)-enriched apexes are fabricated on Si(100) substrate by the Ar+ion bombardment method. The nanocone arrays show excellent field emission properties. A high current density(J) of ~0.33 mA/cm2under a field of ~3 V/μm, a very low turn-on field of ~1.4V/μm, and a very large enhancement factor of ~9466 are also obtained. The emission J of Si nanocone arrays remains extremely stable for long periods of time(24 h).

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【共引文献】
中国博士学位论文全文数据库 前1条
1 汪阳;Cu_2O及In_2O_3基纳米异质结构制备及性能研究[D];华东师范大学;2013年
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