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《固体电子学研究与进展》 1995年01期
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中子辐照对硅片表面氧化层错的抑制作用

李养贤  鞠玉林  刘彩池  
【摘要】:对硅片表面氧化层错形成机理进行了探讨。并通过中子辐照在直拉硅中引入缺陷,利用辐照缺陷和硅中氧的相互作用,强烈抑制硅片表面氧化层错的产生。

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