早发精神分裂症的钩束磁共振弥散张量FA值变化及意义

【摘要】：目的应用磁共振弥散张量成像(DTI)对早发精神分裂症(EOS)患者的脑部钩束进行研究,探讨其白质微结构改变与临床症状的关系。方法使用西门子3.0 T磁共振对25例EOS患者和18例正常人进行脑部DTI检查,将得到的双侧钩束的部分各向异性(FA)值进行统计学分析。结果 EOS患者左右侧钩束的FA值分别为0.55±0.14和0.57±0.13。相比对照组,EOS组左右钩束FA值显著增加(左侧:P=0.001,右侧:P=0.002)。结论钩束的FA值异常有助于早发精神分裂症的早期诊断和鉴别。

【作者单位】： 福建医科大学;解放军第一八〇医院影像科;福建医科大学福总临床医学院影像科;
【分类号】：R445.2;R749.3