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《功能与分子医学影像学(电子版)》 2017年03期
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早发精神分裂症的钩束磁共振弥散张量FA值变化及意义

杨毅  何明颖  黄莹  钱绍文  陈自谦  
【摘要】:目的应用磁共振弥散张量成像(DTI)对早发精神分裂症(EOS)患者的脑部钩束进行研究,探讨其白质微结构改变与临床症状的关系。方法使用西门子3.0 T磁共振对25例EOS患者和18例正常人进行脑部DTI检查,将得到的双侧钩束的部分各向异性(FA)值进行统计学分析。结果 EOS患者左右侧钩束的FA值分别为0.55±0.14和0.57±0.13。相比对照组,EOS组左右钩束FA值显著增加(左侧:P=0.001,右侧:P=0.002)。结论钩束的FA值异常有助于早发精神分裂症的早期诊断和鉴别。
【作者单位】福建医科大学;解放军第一八〇医院影像科;福建医科大学福总临床医学院影像科;
【分类号】:R445.2;R749.3
【正文快照】:
精神分裂症是病因不明的重度精神病,存在感知觉、情感、思维及行为等多方面的障碍。青少年发病的精神分裂症(schizophrenia,SP)称之为早发精神分裂症(early-onset schizophrenia,EOS)[1],发病年龄小于18岁,是SP中较罕见和严重的亚型,存在明显功能障碍和大脑结构、 功能改变[2

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