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《功能材料与器件学报》 1996年02期
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迁移增强外延GaAs/Al/GaAs材料生长及其俄歇分析

钟战天  崔玉德  曹作萍  张广泽  孙学浩  张立宝  肖君  朱勤生  邢益荣  
【摘要】:在配有液N2冷却As快门的分子束外延设备中利用迁移增强外延(MEE)方法于低温下生长了GaAs/Al/GaAs结构材料。俄歇测量结果表明,用MEE方法生长的材料中Al和GaAs之间的互扩散大大减小,在500℃热处理后也没有引起多大的互扩散。我们还发现在高指数GaA5(113)B面上用MEE方法生长GaAs薄膜效果更好。
【作者单位】中国科学院表面物理国家实验室 中国科学院半导体研究所
【基金】:国家自然科学基金
【分类号】:TN304.23

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