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新工艺生长的InGaN量子点的结构与电学性质研究

曲宝壮  朱勤生  陈振  陆大成  韩培德  刘祥林  王晓晖  孙学浩  李昱峰  陆沅  黎大兵  王占国  
【摘要】:利用金属有机化学气相沉积(MOCVD)技术,采用一种称为低温钝化的新生长方法成功地生长出多层InGaN/GaN量子点。这种方法是对GaN表面进行钝化并在低温下生长,从而增加表面吸附原子的迁移势垒。采用原子力显微镜清楚地观察到该方法生长的样品中岛状的量子点。从量子点样品的I-V特性曲线观察到了共振隧穿引起的负阻效应,其中的锯齿状峰形归因于零维量子点的共振隧穿。

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