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《功能材料》 2007年02期
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金属/Hg_(1-x)Mn_xTe接触的I-V特性研究

王泽温  介万奇  
【摘要】:分别采用溅射和蒸发镀膜法在Hg1-xMnxTe试样表面形成了Au/Hg1-xMnxTe和Al/Hg1-xMnxTe接触,并用Aligent4155cI-V测试仪对其I-V特性进行了测量,随后对试样在10%NH4F∶10%H2O2∶H2O中进行了钝化处理,并对处理后的试样再次进行了I-V测量,对于测试结果用热电子发射-扩散理论进行了分析。结果表明:Au与Hg1-xMnxTe形成了良好的欧姆接触,而Al与Hg1-xMnxTe形成了具有整流特性的肖特基接触,其肖特基势垒的理论推算值为0.38eV。钝化处理后的试样,其表面漏电现象明显降低,Au/Hg1-xMnxTe接触的电流下降幅度在0.1V时最大,为76.1%;而Al/Hg1-xMnxTe接触在0.2V时最大,为93.2%。随着偏压的进一步增大,两种接触的电流减小的幅度都逐渐变小。

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