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氨化Si基Ga_2O_3/Ti制备GaN纳米线

孙莉莉  薛成山  艾玉杰  孙传伟  庄惠照  张晓凯  王福学  陈金华  李红  
【摘要】:采用磁控溅射技术先在硅衬底上制备Ga2O3/Ti薄膜,然后在950℃时于流动的氨气中进行氨化反应制备GaN薄膜。X射线衍射(XRD)、傅立叶红外吸收光谱(FTIR)、选区电子衍射(SAED)和高分辨透射电子显微镜(HRTEM)的结果表明采用此方法得到了六方纤锌矿结构的GaN单晶纳米线。通过扫描电镜(SEM)观察发现纳米线的形貌,纳米棒的尺寸在50~150nm之间。

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