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《光电子·激光》 2018年12期
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近室温工作的中长波InAsSb探测器

高玉竹  赵子瑞  龚秀英  魏小梅  冯彦斌  司俊杰  
【摘要】:用熔体外延法(melt epitaxy),在砷化铟(InAs)衬底上,制备了长波铟砷锑(InAs0.05Sb0.95)厚膜单晶。熔体外延法,是一种改进的液相外延法(LPE)。用扫描电子显微镜(SEM)观察了样品的横截面,测量出外延层的厚度达到150μm,这个厚度有效地抑制了外延层与衬底之间晶格失配的影响。制作了近室温工作的中长波铟砷锑探测器,是光导型器件,安装了半导体制冷器。250K下,光谱响应的波长范围为2-11μm,峰值响应率为153.7V/W,加装锗(Ge)场镜后,峰值响应率提高到1 912.6V/W,指示了在红外探测领域的应用前途。

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