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《光电子.激光》 2008年07期
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四针状纳米ZnO在场致发射显示器的应用研究

林志贤  郭太良  
【摘要】:以高温气相氧化法制备的四针状纳米ZnO作为场致发射材料,采用浆料印刷和烧结的方法将其制备成场致发射阴极基板。将阴极板和荧光屏封装成5×25.4 mm二极结构的场致发射显示器,进行了场致发射特性实验,实现了稳定的场致电子发射及简单字符显示。该二极结构ZnO-FED的开启场强为1.5 V/μm,当场强为5.3 V/μm时,发射电流密度可达5.11μA/cm2。通过实验测定场增强因子约为6 772,表现出了好的场致电子发射性能。实验结果表明了四针状纳米ZnO纳米材料是一种很好的场致发射阴极材料。

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