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《光电子.激光》 2004年07期
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MOCVD原位监测垂直腔面发射激光器材料生长

邓军  李建军  廉鹏  韩军  渠红伟  董立闽  郭霞  沈光地  
【摘要】:利用MOCVD的原位监测控制生长垂直腔面发射激光器材料。通过GaAs/AlGaAsDBR结构生长表明系统的原位监测结果与实际结果间存在2%的偏差。修正原位监测的参数,可实现利用原位监测进行实时控制生长,从而有效地减少系统漂移对材料生长的影响,提高系统的控制精度。用于垂直腔面发射激光器(VCSEL)的外延生长中,可以有效减少生长次数并得到高质量的外延材料,制作的VCSEL器件在室温下得到10.1mW的脉冲功率和7.1mW的直流功率。

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