用Z扫描法测量a-Si/SiO_2多量子阱材料非线性折射率
【摘要】:利用Z扫描法和波长为0.53 μm 、脉宽为10 ns的调Q-Nd∶YAG激光器测量了a-Si/SiO2 多量子阱材料的三阶非线性折射率。并对该材料光学非线性的产生机理作了探讨
|
|
|
|
1 |
陆兴中,高雷;颗粒复合介质在高温下的光学双稳特性[J];物理学报;2004年12期 |
2 |
林峰,盛篪,袁帅,刘晓晗,龚大卫,万钧,樊永良;SiO薄膜的光致发光研究[J];自然科学进展;1999年S1期 |
3 |
任尚坤,杜远东;硅基光电子材料的研究[J];周口师范高等专科学校学报;2001年05期 |
4 |
张伟,秦树英,吴添洪,王惠;偶氮苯饱和吸收的光学双稳态的稳态理论研究[J];中山大学学报(自然科学版);2005年03期 |
|
|
|
|
|
1 |
朱美芳,罗光明;用光热偏转谱拟合计算研究非晶硅缺陷态及其稳定性[J];电子学报;1996年02期 |
2 |
姚伟国,岳兰平,戚震中,何怡贞;镶嵌在SiO_2薄膜中的锗纳米晶粒的光致发光[J];功能材料;1997年05期 |
3 |
丁文革;于威;杨彦斌;张江勇;傅广生;;镶嵌有纳米硅的氮化硅薄膜键合特性分析[J];光谱学与光谱分析;2006年10期 |
4 |
李平,王青圃,高达,张其第,孙连科,刘训民,张少军,林本付,张凡文;GaAs被动调QNd:YAG激光器激光特性的研究[J];光学学报;2000年06期 |
5 |
马智训,廖显伯,孔光临;纳米硅光学特性的研究[J];中国科学A辑;1999年07期 |
6 |
于威;张立;王保柱;路万兵;王利伟;傅广生;;氢化纳米硅薄膜中氢的键合特征及其能带结构分析[J];物理学报;2006年04期 |
|
|
|
|
|
1 |
彭文炫;冯国英;张秋慧;伍爱明;柳岿;李密;宋影松;;“绿色”液体激光介质的非线性光学特性研究[J];光子学报;2011年07期 |
2 |
;[J];;年期 |
3 |
;[J];;年期 |
4 |
;[J];;年期 |
5 |
;[J];;年期 |
6 |
;[J];;年期 |
7 |
;[J];;年期 |
8 |
;[J];;年期 |
9 |
;[J];;年期 |
10 |
;[J];;年期 |
|