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扩镓硅基GaN晶体膜质量的电镜分析

王书运  孙振翠  曹文田  薛成山  
【摘要】:采用射频磁控溅射工艺在扩镓硅基上溅射Ga2O3薄膜,氮化反应组装GaN晶体膜,并对其生长条件进行研究.用扫描电镜(SEM)和X射线衍射(XRD)对样品进行结构、形貌分析.观测结果表明:采用此方法得到的在预沉积扩镓硅基上生长的GaN晶体膜,随着扩镓时间的增加,薄膜的晶化程度得到明显提高,而氮化时间对构成GaN薄膜的颗粒形态影响不大.

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