扩镓硅基GaN晶体膜质量的电镜分析
【摘要】：采用射频磁控溅射工艺在扩镓硅基上溅射Ga2O3薄膜,氮化反应组装GaN晶体膜,并对其生长条件进行研究.用扫描电镜(SEM)和X射线衍射(XRD)对样品进行结构、形貌分析.观测结果表明:采用此方法得到的在预沉积扩镓硅基上生长的GaN晶体膜,随着扩镓时间的增加,薄膜的晶化程度得到明显提高,而氮化时间对构成GaN薄膜的颗粒形态影响不大.
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王书运,孙振翠,曹文田,薛成山;扩镓硅基GaN晶体膜质量的电镜分析[J];分析测试技术与仪器;2004年02期 |
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杨利,庄惠照,王翠梅,魏芹芹,薛成山;合成鱼骨外形氮化镓纳米棒(英文)[J];半导体学报;2003年04期 |
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王显明,杨利,王翠梅,薛成山;氨化合成一维GaN纳米线[J];稀有金属材料与工程;2004年06期 |
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王书运,孙振翠,曹文田,薛成山;扩镓硅基GaN晶体膜质量的电镜分析[J];分析测试技术与仪器;2004年02期 |
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王书运,庄惠照,高海永;Si基ZnO缓冲层溅射Ga_2O_3氨化反应生长GaN薄膜[J];理化检验.物理分册;2005年09期 |
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孙振翠;曹文田;王书运;薛成山;伊长虹;;硅基扩镓溅射Ga_2O_3反应自组装GaN薄膜[J];功能材料与器件学报;2008年05期 |
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