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《发光学报》 2008年02期
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Ag掺杂p型ZnO薄膜及其同质结的光电性质

孙利杰  钟声  张伟英  王筝  林碧霞  傅竹西  
【摘要】:采用磁控溅射技术在Si基片上生长了Ag掺杂的ZnO薄膜,XRD测试表明所得薄膜结晶性质良好,未出现Ag的分相。未掺杂和Ag掺杂氧化锌薄膜的低温(10K)光致发光(PL)谱显示:Ag的掺入使得中性施主束缚激子发射(D0X)显著减弱,并且在3.315eV处观测到了与Ag有关的施主-受主对(DAP)发射,受主缺陷的形成归因于掺入的Ag替位Zn。计算得到受主能级离价带顶约110meV。霍尔效应测得电阻率约0.1Ω.cm,迁移率约36cm2/V.s,空穴浓度约1.7×1018cm-3。在此基础上制备了ZnO∶Ag/ZnO的同质结,I-V测试显示了明显的整流特性,且反向漏电流很小。所有结果表明Ag掺杂的氧化锌薄膜已经转化为p型。

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【共引文献】
中国重要会议论文全文数据库 前1条
1 万翠凤;金胜明;;氧化锌掺杂制备高导电性粉末及应用[A];第八届全国颗粒制备与处理学术和应用研讨会论文集[C];2007年
【同被引文献】
中国期刊全文数据库 前10条
1 毛祥军,杨志坚,李景,屈建勤,张国义;用MOCVD在ZnO/Al_2O_3衬底上生长GaN及其特性[J];半导体学报;1999年08期
2 吕建国,叶志镇,黄靖云,赵炳辉,汪雷;退火处理对ZnO薄膜结晶性能的影响[J];半导体学报;2003年07期
3 李庚伟;吴正龙;邵素珍;张建辉;刘志凯;;氧离子束辅助激光淀积生长ZnO/Si的研究[J];材料导报;2005年02期
4 王新胜;杨天鹏;刘维峰;徐艺滨;梁红伟;常玉春;杜国同;;p型ZnO掺杂及其发光器件研究进展与展望[J];材料导报;2006年01期
5 汪雷;直流磁控溅射ZnO薄膜的结构和室温PL谱研究[J];材料科学与工程;2002年03期
6 邵忠宝,王成艳,陈雪冰,韩春梅,王颖;纳米ZnO/Ag的制备及其光催化性能[J];材料研究学报;2005年01期
7 叶志镇,张银珠,陈汉鸿,何乐年,邹璐,黄靖云,吕建国;ZnO光电导紫外探测器的制备和特性研究[J];电子学报;2003年11期
8 武卫莉;纳米复合材料在橡胶工业的应用[J];高师理科学刊;2002年03期
9 陈祝;张树人;杜善义;杨成韬;孙明霞;郑泽渔;李波;董加和;;ZnO掺杂Li~+陶瓷靶及溅射膜制备工艺研究[J];功能材料;2006年04期
10 陈传忠,包全合,姚书山,雷廷权;脉冲激光沉积技术及其应用[J];激光技术;2003年05期
中国硕士学位论文全文数据库 前1条
1 张有润;制备ITO薄膜的工艺研究[D];电子科技大学;2005年
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