收藏本站
《发光学报》 2007年02期
收藏 | 投稿 | 手机打开
二维码
手机客户端打开本文

LP-MOCVD两步生长法制备的InAs_(0.9)Sb_(0.1)/GaAs

谢建春  缪国庆  金亿鑫  张铁民  宋航  蒋红  刘乃康  李志明  
【摘要】:利用LP-MOCVD技术,采用两步生长法,在(100)GaAs单晶衬底上生长高质量的InAs0.9Sb0.1。用扫描电镜、X射线单晶衍射、Hall测量以及Raman光谱等方法对材料进行了表征。分析了缓冲层和外延层生长温度对外延层表面形貌的影响。获得了表面光亮,室温载流子浓度为1.9×1017cm-3和迁移率为6214cm2/V.s的InAs0.9Sb0.1。在室温Raman光谱中观察到InAs0.9Sb0.1中InAs(LO)的233cm-1和InSb(LO)的187cm-1两种光学声子行为。

手机知网App
【相似文献】
中国期刊全文数据库 前10条
1 陈瀚;;ZnO薄膜的制备及应用[J];材料开发与应用;2011年04期
2 ;[J];;年期
3 ;[J];;年期
4 ;[J];;年期
5 ;[J];;年期
6 ;[J];;年期
7 ;[J];;年期
8 ;[J];;年期
9 ;[J];;年期
10 ;[J];;年期
中国重要会议论文全文数据库 前2条
1 马艳;张源涛;张宝林;杜国同;;MOCVD方法生长ZnO薄膜的XPS分析[A];第十五届全国化合物半导体材料,微波器件和光电器件学术会议论文集[C];2008年
2 崔林;张化宇;汪桂根;;高质量GaN自支撑层的制备研究进展[A];第十二届全国LED产业研讨与学术会议论文集[C];2010年
中国博士学位论文全文数据库 前6条
1 冯先进;高质量SnO_2薄膜的制备及特性研究[D];山东大学;2008年
2 杨天鹏;ZnO薄膜的等离子体辅助MOCVD生长及掺杂研究[D];吉林大学;2009年
3 莫春兰;硅衬底GaN基蓝光LED材料生长及器件研制[D];南昌大学;2006年
4 李香萍;ZnO薄膜的MOCVD制备及ZnO/Si发光器件研究[D];吉林大学;2009年
5 刘晓明;InAsSb红外光电薄膜制备和表征与单元器件研究[D];哈尔滨工业大学;2010年
6 刘晓明;InAsSb红外光电薄膜制备和表征与单元器件研究[D];哈尔滨工业大学;2010年
中国硕士学位论文全文数据库 前9条
1 苏凤莲;PLD和MOCVD方法生长的ZnO薄膜结构及发光性能[D];安徽大学;2005年
2 王新胜;p型ZnO薄膜制备与表征[D];大连理工大学;2006年
3 彭新村;中红外InAsSb材料的MOCVD生长特性研究[D];吉林大学;2007年
4 冯建友;GaAs/Si和含B光电子材料异质外延生长的理论和实验研究[D];北京邮电大学;2008年
5 姚雨;氮化镓基LED芯片的制备研究[D];华东师范大学;2007年
6 刘磊;横向外延技术的理论分析与两步生长法的实验研究[D];北京邮电大学;2007年
7 王飞华;含硼(B)光电子材料的理论计算和实验研究[D];北京邮电大学;2008年
8 宋振国;MOCVD法制备掺杂SnO_2薄膜及特性研究[D];山东大学;2009年
9 毛明华;AllnN材料的生长及其紫外LED的研制[D];厦门大学;2008年
中国知网广告投放
相关期刊
>材料开发与应用
相关机构
>四川机电职业技术学院;
相关作者
>陈瀚
 快捷付款方式  订购知网充值卡  订购热线  帮助中心
  • 400-819-9993
  • 010-62791813
  • 010-62985026