p型Ga_(0.47)In_(0.53)AS接触层的生长
【摘要】:用过冷法在632—630℃生长了掺Zn的p型Ga_(0.47)In_(0.53)As接触层。研究了液相中Ga组分和Zn组分对Ga_xIn_(1-x)As/InP异质结晶格失配的影响,用一次外延技术生长了Ga_xIn_(1-x)As作接触层的GaInAsP/InP双异质结。
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1 |
张桂成,水海龙;InGaAsP/InP双异质结发光管光功率的温度和饱和特性[J];半导体学报;1983年01期 |
2 |
张桂成,陈瑞璋,杨林宝;InGaAsP/InP双异质结发光管I-V特性的研究[J];电子学报;1985年04期 |
3 |
杨易,邬祥生,李润身,谭儒环,李允平,水海尤;GaInAsP/InP异质结液相外延层晶格匹配的研究[J];电子科学学刊;1985年05期 |
4 |
张桂成,沈彭年;InGaAsP/InP双异质结发光管暗缺陷的观察和研究[J];电子科学学刊;1987年05期 |
5 |
水海龙,张桂成,邬祥生,陈启玙,徐少华,杨易,陈瑞璋,胡道珊;1.3μm InGaAsP/InP双异质结发光管的特性研究[J];发光与显示;1982年03期 |
6 |
杨易,邬祥生,杨林宝,李允平;光吸收法检测Ga_xIn_(1-x)As_yP_(1-y)/InP双异质结液相外延片的室温禁带宽度[J];发光与显示;1983年03期 |
7 |
杨林宝,龚连根,江玲娣;P-Ga(1-x)In_xAs_yP_(1-y)/InP材料的扩散长度测量[J];发光与显示;1984年01期 |
8 |
张桂成,邵永富,龚连根;有源层受主浓度对InGaAsP/InP双异质结发光管特性的影响[J];发光与显示;1984年04期 |
9 |
邬祥生,吴学海,李允平,吕章德,龚连根,周萍,吴长川;可集成的高效率InGaAsP相位调制器[J];高速摄影与光子学;1990年04期 |
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|
1 |
John A Defalco
,李金堂;飞跃发展的高密度双极型器件[J];计算机工程与应用;1972年04期 |
2 |
Owen K Wu,李玲;HgCdTe MBE技术概述[J];红外;1994年05期 |
3 |
KunioKaneko
,MasashiDosen
,NaozoWatanabe
,曹锦荣;用汽相掺杂锌的GaP高效率红色发光二极管[J];发光学报;1974年03期 |
4 |
席奎德;在双极型集成电路生产中高阻外延的问题[J];半导体技术;1990年01期 |
5 |
王善力,杨建荣,郭世平,于梅芳,陈新强,方维政,乔怡敏,袁诗鑫,何力,张勤耀,丁瑞军,辛田玲;P型长波Hg_(1-x)Cd_xTe材料MBE生长技术研究[J];红外与毫米波学报;1996年05期 |
6 |
郭汀;精心成就每一页[J];中国计算机用户;2000年10期 |
7 |
H.OKamoto;S.Sakata;周章文;;外延生长砷化镓中高阻层的性质[J];微纳电子技术;1974年06期 |
8 |
D.L.Rode;关久辉;;用于制作场效应晶体管的砷化镓的电解腐蚀及电子迁移率[J];微纳电子技术;1975年04期 |
9 |
M.Otsubo;严振斌;;在混合气体下砷化镓的液相外延生长[J];微纳电子技术;1976年06期 |
10 |
;编者的话[J];半导体技术;1977年04期 |
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