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《发光与显示》 1983年01期
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p型Ga_(0.47)In_(0.53)AS接触层的生长

邬祥生  李允平  杨易  
【摘要】:用过冷法在632—630℃生长了掺Zn的p型Ga_(0.47)In_(0.53)As接触层。研究了液相中Ga组分和Zn组分对Ga_xIn_(1-x)As/InP异质结晶格失配的影响,用一次外延技术生长了Ga_xIn_(1-x)As作接触层的GaInAsP/InP双异质结。

【参考文献】
中国期刊全文数据库 前1条
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【共引文献】
中国期刊全文数据库 前9条
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3 杨易,邬祥生,李润身,谭儒环,李允平,水海尤;GaInAsP/InP异质结液相外延层晶格匹配的研究[J];电子科学学刊;1985年05期
4 张桂成,沈彭年;InGaAsP/InP双异质结发光管暗缺陷的观察和研究[J];电子科学学刊;1987年05期
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【二级参考文献】
中国期刊全文数据库 前1条
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【相似文献】
中国期刊全文数据库 前10条
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中国硕士学位论文全文数据库 前10条
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6 蔡道林;ZnTe(ZnTe:Cu)多晶薄膜及其在CdTe太阳电池中的应用研究[D];四川大学;2003年
7 郎佳红;GaN ECR-PEMOCVD生长表面RHEED图像研究[D];大连理工大学;2004年
8 朱筠;SID关键制造技术的研究[D];兰州大学;2006年
9 李春旭;膨润土碱法活化制备P型分子筛的研究[D];河北工业大学;2004年
10 钟永强;沉积条件对ZnTe与ZnTe:Cu薄膜性能的影响[D];四川大学;2007年
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