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《发光学报》 1978年03期
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非机械清除的外延生长法

嬴越佳治  张玉先  
【摘要】:正 1 前言 近年来GaAs—AlGaAs双异质结(DH)激光器的惊人进展,是与晶体液相外延生长技术的改善分不开的。对充分利用异质结光电特微的DH激光器来说,很明显界质结介面的质量对器件的各种特性都有很大的影响。我们认为致使GaAs—AlGaAs异质结质量下降的最重要因素是因为混入了氧。AlGaAs中随着AlAs百分比的增加就
【正文快照】:
1前言液的复盖保护,能够防止氧化膜的形成。 本文的非机械清除的外延生长法是属于 近年来GaAs一AIGaAs双异质结后一种方法‘“’。通过这种方法解决了滑动(OH)激光器的惊人进展,是与晶体液相石墨舟法的许多问题,也包括上述提到的闯外延生长技术的改善分不开的。对充分利用题

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