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《电子显微学报》 2010年04期
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纳米异质外延层与衬底的晶体取向匹配的电子背散射衍射分析

吉元  王丽  张隐奇  卫斌  索红莉  王建宏  程艳玲  
【摘要】:本文采用电子背散射衍射(EBSD),测量纳米异质外延层的织构,及外延层与衬底的晶体取向匹配。测试的材料包括作为YBCO超导膜的过渡层、生长在强立方织构Ni-5at.%W(Ni-W)衬底上的La2Zr2O7(LZO)外延层,及LED器件中生长在蓝宝石衬底上的GaN过渡层和外延层。EBSD测量出LZO外延层具有旋转立方织构,显示出LZO与Ni-W衬底的面内取向(转动45°)及面外取向(沿[001]方向)的匹配关系。EBSD测量出GaN过渡层与蓝宝石衬底的面内取向(转动30°)的匹配关系,显示出由GaN过渡层的晶格畸变而引入的平行于外延生长方向的弹性应变梯度(约500 nm)。

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【参考文献】
中国期刊全文数据库 前1条
1 何东;索红莉;赵跃;刘敏;张迎肖;叶帅;马灵姬;周美玲;;用化学溶液方法在Ni-5at% W基底上制备La_2Zr_2O_7过渡层的研究[J];人工晶体学报;2007年06期
【二级参考文献】
中国期刊全文数据库 前1条
1 古宏伟;杨坚;刘慧舟;屈飞;张华;;YBa_2Cu_3O_(7-x)涂层导体的研究进展[J];中国稀土学报;2006年03期
【相似文献】
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2 曹玉萍;薛成山;石锋;孙海波;刘文军;郭永福;;氨气流量对GaN纳米线生长及性能的影响[J];功能材料;2010年02期
3 季振国;娄垚;毛启楠;;沉积温度对高Al含量的Al_xGa_(1-x)N薄膜的影响[J];无机材料学报;2010年04期
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6 关小军;刘运腾;王丽君;申孝民;禹宝军;赵健;;冷轧压下率影响工业纯铝板退火织构变化的EBSD研究[J];金属热处理;2010年03期
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中国重要会议论文全文数据库 前10条
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10 姬洪;周勋;邹泽亚;左长明;;六角相GaN外延膜的高分辨X射线衍射分析研究[A];第六届中国功能材料及其应用学术会议论文集(10)[C];2007年
中国重要报纸全文数据库 前10条
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3 东南大学电子科学与工程学院先进光子学中心 张雄 教授;LED制造技术的发展趋势及应对策略(下)[N];消费日报;2010年
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6 本报记者 梁红兵;衬底技术进步快 集成创新成LED产业发展重点[N];中国电子报;2009年
7 本报记者 梁红兵;欣磊光电:已形成LED芯片全系列产品供应能力[N];中国电子报;2009年
8 本报记者 梁红兵 整理;江风益:用“硅基发光”诠释“中国创造”[N];中国电子报;2009年
9 记者 刘杰;“孵化”第三代半导体产业“中国版”[N];各界导报;2009年
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中国博士学位论文全文数据库 前10条
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中国硕士学位论文全文数据库 前10条
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3 白俊春;GaN-MOCVD系统反应室的CFD模拟研究[D];西安电子科技大学;2009年
4 王英;NiCl_2催化GaN纳米结构的制备与研究[D];山东师范大学;2009年
5 王邹平;氨化磁控溅射硅基Ga_2O_3/Cr薄膜制备GaN纳米结构的研究[D];山东师范大学;2009年
6 赵金霞;基于GaN MOS器件的注入和氧化工艺研究[D];电子科技大学;2009年
7 杨洪;GaN基光伏型MSM结构紫外探测器研究[D];电子科技大学;2009年
8 席洪柱;脉冲激光沉积GaN薄膜研究[D];山东师范大学;2009年
9 张冬冬;共溅法Mg掺杂氮化镓纳米结构的制备与研究[D];山东师范大学;2009年
10 季伟;锗硅外延工艺的调试和优化[D];复旦大学;2009年
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