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《电子科技》 2011年07期
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基于准一维CdS纳米结构的合成及应用

蔡家骏  江鹏  
【摘要】:针对准一维硫化镉(CdS)纳米结构的合成及其器件作了相应介绍。硫化镉(CdS)作为一种II-VI族半导体材料,室温禁带宽度为2.42 eV,合成方法多种多样,可根据具体的需求和条件,通过对各种具体参数的调节,合成出需要的CdS纳米结构及高质量的准一维CdS纳米结构制备出高性能器件。虽然准一维CdS纳米结构的合成和器件制备还处在实验阶段,但其独特的光电化学性能,已被广泛应用于光化学电池和储能器件。

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