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《电子技术应用》 2011年09期
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3GHz~5GHz CMOS超宽带低噪声放大器设计

王宁章  唐江波  秦国宾  卢安栋  罗婕思  
【摘要】:提出了一个低噪声、高线性的超宽带低噪声放大器(UWB LNA)。电路由窄带PCSNIMLNA拓扑结构和并联低Q负载结构组成,采用TSMC 0.18μm RFCMOS工艺,并在其输入输出端引入了高阶带通滤波器。仿真结果表明,在1.8 V直流电压下LNA的功耗约为10.6 mW。在3 GHz~5 GHz的超宽带频段内,增益约为13.5 dB,输入、输出回波损耗S11、S22均小于-14 dB,噪声系数(NF)为0.875 dB~4.072 dB,三阶交调点IIP3均值为5.35 dB。
【作者单位】广西大学计算机与电子信息学院;
【分类号】:TN722.3

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