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《电子元件与材料》 2010年01期
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磁场退火对FePt/Ag薄膜磁性能的影响

赵书华  刘梅  王永红  张玉梅  李海波  
【摘要】:采用磁控溅射法室温沉积获得FePt/Ag薄膜,然后在500℃下,于真空磁退火炉中对薄膜进行退火处理。利用XRD和振动样品磁强计(VSM),研究了磁场退火对薄膜结构和磁性能的影响。结果表明,500℃零磁场退火获得了矫顽力为0.763 4 MA.m–1、平均晶粒尺寸21 nm的L10-FePt薄膜。磁场提供了FePt成核生长的驱动力,0.8 MA.m–1磁场退火后FePt的平均晶粒尺寸为26 nm,矫顽力增大至0.804 3 MA.m–1。非磁性Ag的掺杂可有效抑制磁性FePt晶粒的团聚生长。

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【同被引文献】
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【二级参考文献】
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1 马斌,沈德芳,狄国庆,杨正,魏福林;超高密度磁存储的展望[J];功能材料与器件学报;2001年02期
2 吴惠萌,宋延林,赵彤,江雷,高鸿钧;超高密度信息存储材料及技术研究进展[J];自然科学进展;2002年12期
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