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《电子元件与材料》 2007年07期
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低漏电流聚吡咯铝电解电容器的研制

马海峰  程贤甦  林俊鸿  
【摘要】:采用化学氧化聚合法在铝箔上原位聚合聚吡咯阴极层,研究了不同氧化剂、4-硝基酞酸加入方式对聚吡咯电容器性能的影响。结果表明:添加4-硝基酞酸明显降低了电容器的漏电流,制备出tanδ为0.012(100Hz),IL小于0.8μA,且具有良好频率特性的固体片式铝电解电容器。

【参考文献】
中国期刊全文数据库 前5条
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【共引文献】
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中国博士学位论文全文数据库 前3条
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