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正常金属-绝缘体-d波超导隧道结中的微分电导和束缚态

董正超  陈贵宾  边秋平  李晓薇  
【摘要】:在正常金属 绝缘体 d 波超导隧道结中,考虑到绝缘体中的体杂质散射以及粗糙界面散射,运用Bogoliubov- de Gennes (BdG)方程和Bolonder- Tinkham - Klapuijk (BTK)理论模型,计算系统的微分电导。计算表明:(1)我们的理论能充分地展现高Tc 氧化物超导体中零偏压电导峰的实验结果;(2)当绝缘层厚度具有几个相干长度时,隧道谱中将呈现一些子能隙谐振峰,并在超导能隙内形成一些束缚态;(3)粗糙界面散射和绝缘体中的杂质散射都能抹平和压降零偏压电导峰,较好地解释了目前理论和实验尚存的偏差

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