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电子辐照高阻区熔N型NTD硅中缺陷态的退火特性

戴培英  董友梅  司怀吉  
【摘要】:报导了经电子辐照后的高阻 (4 5~ 70Ω·cm)NTD FZ Si p+nn+结的N Si中缺陷态在氮气保护下的等时、等温退火特性 ,而且获得了主要缺陷态能极E3、E4 的激活能和频率因子。

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