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《电子科技大学学报》 1996年04期
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相互自偏屏蔽磁阻读头的设计和模拟

张怀武  杨仕清  王豪才  
【摘要】:基于传输线模型设计和分析了,一种新型的相互自偏屏蔽磁阻头(MR)。对信号场分布,输出电压,谐波信号和磁电阻作为偏电流,记录位移和时间的函数进行仿真模拟,结果表明该磁头的线性工作电流在10~30mA之间,在总缝宽G0小于0.6μm的条件下,不仅具有较好的高频线性响应特性和完全对称的再生信号输出波形,而且有高达45%的效率。这些结果对提高计算机硬盘的记录密度是很有意义的。
【作者单位】成都电子科技大学材料科学与工程系
【基金】:韩国科学工程基金
【分类号】:TN811.02

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