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《电焊机》 2011年08期
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预共晶条件下单晶硅接头的组织性能研究

籍成宗  李京龙  熊江涛  张赋升  孙兵兵  
【摘要】:通过在单晶硅表面预制一层Au-Si熔敷层,利用Au-Si低温共晶原理实现预共晶条件下单晶硅的低温扩散连接。分析表明,在界面的共晶组织中,Si的生长形态受晶体学取向和生长环境共同作用。由于Au-Si互不相溶,随着温度的升高,晶粒呈枝蔓状生长,其中某些晶粒沿着基体生长并最终实现基体的桥状连接。分析认为,随着预共晶温度的升高,接头焊缝区域逐渐变窄,焊合率上升,连接强度提高,Si的生长形貌趋于规则,界面中孔洞的数量减少和尺寸减小且趋于均匀。
【作者单位】西北工业大学摩擦焊接陕西省重点实验室;
【分类号】:TG407

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