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《东华大学学报(自然科学版)》 2012年02期
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射频等离子体功率参数对硅基发光薄膜生长与结构的影响

邵宇光  杨沁玉  王德信  石建军  徐金洲  郭颖  张菁  
【摘要】:采用射频等离子体化学气相沉积(RF-PECVD)技术,以SiH4和Ar的混合气体为源气体,在石英玻璃衬底上制备了硅基发光薄膜.利用场发射扫描电子显微镜(FESEM)、X射线衍射(XRD)、透射电子显微镜(TEM)和傅里叶红外光谱(FTIR)对薄膜的形貌、结构和性能进行了表征,并利用发射光谱(OES)对薄膜等离子体生长过程进行了分析.研究结果表明,随着射频功率的增加,等离子体发射光谱中Hβ谱线强度激增,薄膜的红外光谱中Si—O键在1095cm-1处振动吸收峰强度减小,Si—Si键在613cm-1处特征吸收峰强度增加,说明射频功率增加加剧了硅烷的裂解与氧化硅的还原,提高了薄膜结晶度和纳米晶粒的融合度,并降低了沉积薄膜的表面粗糙度.
【作者单位】东华大学理学院;
【基金】:国家自然科学基金资助项目(10775031)
【分类号】:O484.1

【参考文献】
中国期刊全文数据库 前2条
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