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《材料研究学报》 2006年03期
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硅衬底碳化对异质外延SiC薄膜结构的影响

苏剑峰  郑海务  林碧霞  朱俊杰  傅竹西  
【摘要】:用LPMOCVD方法在P-Si(111)衬底上异质外延生长SiC,用碳化方法生长出具有单晶结构的3C-SiC薄膜, 研究了开始碳化温度、丙烷流量和碳化时间对结晶质量的影响.结果表明,在较低的温度开始碳化不利于丙烷的分解,不能形成很好的过渡层;碳化时丙烷流量过大会造成碳污染,碳化时间过长使过渡层的结晶质量降低.最佳的碳化条件为:开始碳化温度 1150℃,碳化时间和碳化时丙烷的流量分别为8 min和2 sccm.

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2 封先锋,陈治明,马剑平,蒲红斌,李留臣;3C-SiC的液相外延生长及其结构的保持与分析[J];人工晶体学报;2004年06期
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