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InP(001)基衬底上自组织生长InAs量子点(线)的光学性质研究

武光明  朱江  李月法  贾锐  
【摘要】:在InP(001)基衬底上用分子束外延方法生长InAs纳米结构材料,通过衬底的旋转与否及混合生长模式,得到了两种InAs量子点和量子线,并研究了量子点、线的光学性质。结果表明,两种方式都可生长出较强发光的量子点(线);由量子点排列构成的量子线的光致发光光谱呈现出多峰结构,分析和理论计算表明这是InAs量子线上各量子点在垂直方向上不同高度分布和非连续性而造成的。

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1 武光明,朱江,李月法,贾锐;InP(001)基衬底上自组织生长InAs量子点(线)的光学性质研究[J];材料研究学报;2003年06期
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